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ASML今宣布EUV光刻機NXE:3800G進入試產階段，可支援2nm以下制程。此機台採用高NA（數值孔徑）技術，光刻精度提升30%。台積電已下單30台，預計2026年交付。但供應…

日本半導體巨頭Rapidus今宣布，成功在北海道工廠試產2nm晶片，良率達70%。此技術據傳透過美光前工程師團隊取得台積電專利，但法律爭議持續。日本經濟產業省宣布，…

英特爾首季淨虧損8.21億美元，主要因18A製程延遲及PC需求疲軟。為節省成本，宣布裁撤以色列1,200名研發人員，並暫停俄羅斯晶圓廠擴建計畫。市場質疑，歐洲廠區能…

ASML宣布荷蘭EUV光刻機產能將從每月80台提升至120台，主要供應台積電、三星3奈米以下製程需求。公司同時推出「High-NA EUV」升級方案，可支援1.4奈米製程。業界預…

SK海力士宣布自5月起調漲DDR5 DRAM報價10%，主因AI伺服器需求激增及HBM3E量產在即。市調機構指出，SK海力士HBM市佔率已達70%，正式超越三星成為儲存晶片龍頭。三…

東京AI晶片新創「Tenstorrent」宣布獲台積電5億美元投資，雙方將合作開發RISC-V架構AI加速器。該公司獨家技術「Sparrow架構」可提升能效比達3倍，已吸引微軟、豐…

法國原子能委員會（CEA）宣布成功研發「鎢鈷複合材料」，耐高溫達5,000°C，適用於核聚變反應爐第一壁。該技術將與意法半導體合作量產，預計2027年應用於國際熱核…

日立製作所與東京電力合作，推出全球首款10微米線寬AI載板，信號延遲降至0.3ps/mm，支援HBM4堆疊。該技術將應用於輝達下一代B100晶片，預計2026年量產。業界分析…

台積電宣布2025年第二季啟動2奈米晶圓代工量產，採用環繞式柵極（GAA）技術，良率突破85%。蘋果A19 Pro晶片與輝達H200 AI加速器已預訂首波5,000片月產能，預計第…

美國商務部宣布取消拜登時期AI晶片出口管制，改以「國家分類」制度管理。輝達同步推出「H200 Lite」特供版，顯存從96GB砍至48GB，算力調降30%，但支援PCIe 5.0介…