碳化矽（SiC）與氮化鎵（GaN）等寬能隙半導體材料，正加速導入電動車、AI伺服器電源、再生能源等應用。然而，要發揮這些材料的極致性能，封裝技術是關鍵瓶頸。
寬能隙半導體的封裝挑戰
- 高溫操作：SiC可達200℃以上，傳統錫膏焊接難以承受
- 高功率密度：單位面積功率輸出高，散熱需求嚴苛
- 高開關頻率：GaN可達MHz等級，寄生電感影響顯著
- 可靠性要求：車用應用需通過嚴苛的溫度循環測試
先進封裝技術
日月光、矽品等封測廠開發多項解決方案：
- 銀燒結技術：可承受高溫，導熱性優於錫膏，已廣泛應用於SiC模組
- 銅燒結技術：成本低於銀，具備優異導電導熱性能，正加速導入
- 直接覆銅（DBC）基板：提供良好散熱與絕緣性能
- 模塑互連基板（MIS）：可降低寄生電感，適合高頻應用
隨著電動車滲透率提升，功率模組封裝市場預計2030年達50億美元，成為封測廠商的重要成長動能。