日期：2026年3月29日
SK海力士3月28日宣布，其下一代HBM4記憶體已通過NVIDIA的產品驗證，預計2026年第三季開始量產出貨，將搭載於NVIDIA Rubin平台。
HBM4採用先進的混合鍵合（Hybrid Bonding）技術，可將16層DRAM堆疊，單顆容量最高達48GB，最大頻寬達3.6TB/s，較HBM3e提升2倍以上。SK海力士表示，HBM4的功耗效率也較前代提升30%。
SK海力士CEO郭魯正在聲明中表示，HBM4通過NVIDIA驗證是公司技術實力的重要里程碑。公司將持續投資HBM技術研發，鞏固在高頻寬記憶體市場的領先地位。
據了解，SK海力士已在韓國清州擴建HBM專用產線，2026年HBM產能將較2025年成長2倍。三星電子與美光科技的HBM4產品也正在驗證中，預計2026下半年陸續通過認證。