三星電子是全球首家量產GAA（全環繞閘極）電晶體的晶圓代工廠，其3奈米製程採用第一代GAA架構（命名為MBCFET）。以下是三星GAA技術的演進路徑。
GAA vs FinFET
在FinFET架構中，閘極從三面包覆通道；而在GAA架構中，通道變成水平奈米片，閘極從四面八方完全包覆通道。這種設計能更有效地控制漏電，提升電晶體的開關特性。
三星的MBCFET（Multi-Bridge Channel FET）採用奈米片結構，相較於FinFET，在相同功耗下效能提升23%，或相同效能下功耗降低45%。
技術演進路徑
- SF3（3奈米）：第一代GAA，2022年量產，奈米片寬度可調，優化功耗與效能平衡
- SF2（2奈米）：第二代GAA，2026年量產，奈米片數量從3片增至4片，驅動電流提升
- SF1.4（1.4奈米）：第三代GAA，規劃2027年風險試產，導入背面供電技術
三星計劃在SF1.4製程導入背面供電網絡（BSPDN），將電源線移至晶片背面，可進一步提升效能10-15%。