日期：2026年3月27日
SK海力士在3月26日舉行的年度股東大會上宣布，下一代HBM4記憶體將於2026年下半年正式量產，最大頻寬可達3.6TB/s，較HBM3e提升2倍以上。首批產品將供應NVIDIA Rubin平台使用。
SK海力士表示，HBM4將採用先進的混合鍵合（Hybrid Bonding）技術，可將16層DRAM直接堆疊，單顆容量最高達48GB。公司已在韓國清州擴建HBM專用產線，2026年HBM產能將較2025年成長2倍。
SK海力士CEO郭魯正在股東會上表示，AI晶片需求持續爆發，HBM已成為記憶體廠商獲利主力。公司將持續投資HBM技術研發，鞏固在高頻寬記憶體市場的領先地位。