會議名稱：第二屆第三代半導體技術與應用論壇
時間：2026年8月20日 – 22日
地點：深圳會展中心
主辦單位：中國半導體行業協會、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟
第二屆第三代半導體技術與應用論壇將於8月20日至22日在深圳舉行。本次論壇以「寬能隙半導體產業化新征程」為主題，聚焦碳化矽（SiC）、氮化鎵（GaN）以及第四代半導體氧化鎵（Ga₂O₃）的技術進展與市場應用。
會議議題：
- SiC襯底與外延技術進展：8吋SiC量產進度與良率提升
- GaN功率器件：消費快充向車用、工業電源延伸
- 車用SiC模組：電動車主逆變器、車載充電機應用
- 第四代半導體專題：氧化鎵、金剛石、氮化鋁最新突破
- 第三代半導體設備與材料國產化進程
據Yole預測，2030年全球SiC市場規模將達150億美元，GaN市場規模將達30億美元。隨著新能源汽車滲透率提升，第三代半導體迎來產業化關鍵期。本次論壇將匯聚國內外龍頭企業、科研院所、投資機構，共話第三代半導體發展機遇。