日期：2026年3月29日
美國商務部3月28日正式宣布，根據《晶片與科學法案》，將向美光科技提供最高61億美元的直接補貼，用於支持其在紐約州和愛達荷州的先進DRAM記憶體製造設施建設。
美光計劃在紐約州克萊鎮建設四座先進DRAM晶圓廠，在愛達荷州博伊西建設一座先進DRAM晶圓廠。全部項目完成後，美光在美國的DRAM產能將佔其全球產能的40%以上，大幅提升美國本土記憶體供應鏈的韌性。
美國商務部長雷蒙多在聲明中表示：「美光的投資將確保美國在先進記憶體製造領域不再完全依賴亞洲，這是國家安全與經濟競爭力的關鍵一環。」
美光科技執行長梅羅特拉表示，這筆補貼將加速公司在美國本土的先進製程導入，包括1γ奈米和下一代1δ奈米DRAM技術的規模化生產。美光預計在2030年前在美國投資超過500億美元，創造約2萬個直接就業機會。