矽光子技術是什麼？為何成為AI算力互連的關鍵方案？
矽光子（Silicon Photonics）是將光學元件與電子元件整合在單一矽晶片上的技術，利用光子而非電子進行數據傳輸。隨著AI大模型向…
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HBM技術演進與HBF新標準：AI記憶體的下一個戰場
高頻寬記憶體（HBM）已成為AI晶片的關鍵元件。隨著AI模型規模持續擴大，記憶體頻寬與容量需求不斷攀升。 HBM世代演進：HBM3e提…
金剛石熱沉片：破解AI晶片散熱瓶頸的「終極方案」
隨著AI晶片功耗持續攀升，散熱已成為關鍵瓶頸。傳統銅、鋁散熱材料逐漸力不從心，金剛石因室溫下熱導率高達2200W/(m·K)，約為銅…
High-NA EUV量產就緒：2nm以下製程的里程碑突破
2026年2月，全球光刻機龍頭宣布其下一代High-NA EUV（高數值孔徑極紫外光）設備已準備就緒，可供應晶片製造商用於大規模量產，…
存算一體技術是什麼？如何打破AI晶片的「記憶體牆」瓶頸？
「記憶體牆」（Memory Wall）是當前AI晶片效能提升的最大瓶頸之一。傳統電腦架構中，處理器與記憶體物理分離，數據需在兩者間頻…
存儲芯片漲價背後的技術邏輯：HBM產能如何影響整個市場？
2026年第一季度，DRAM合約價格較上一季度漲幅高達90-95%，NAND Flash漲幅達55-60% [citation:3]。這波漲價背後，是HBM與常規DRA…
鐵電晶體管（FeFET）工作原理：如何實現「存算一體」？
鐵電晶體管（Ferroelectric FET, FeFET）是實現存算一體架構的核心器件之一，被視為神經形態計算方面最具潛力的新型基礎器件[ci…
High-NA EUV 微影技術：如何實現2nm以下節點的量產？
高數值孔徑極紫外光（High-NA EUV）是ASML推出的新一代微影設備，數值孔徑從0.33提高到0.55，是實現2nm以下節點單次曝光的關鍵…
熱膨脹應力技術：用溫度調控半導體原子結構的新方法
韓國成均館大學機械工程學院科學家開發出一種利用熱量精確調控半導體內部結構的新技術，可顯著提升下一代AI核心硬體的性能[cita…
邊緣AI（Edge AI）是什麼？2026年技術發展趨勢解析
邊緣AI（Edge AI）是指將人工智慧算法部署在終端設備上執行，無需將數據傳送到雲端伺服器。意法半導體（ST）指出，2025年已清楚…