英特爾宣布18A製程進入風險試產階段，採用革命性RibbonFET電晶體與PowerVia背面供電技術，預計年底量產。實測數據顯示，相較前代Intel 3製程，新技術在相同功耗下性能提升25%，若維持相同頻率則功耗降低38%。尤其PowerVia技術將供電層移至晶片背面，使單元密度提高50%，電壓穩定性增強十倍。此製程已應用於亞馬遜AWS雲端晶片與微軟數據中心處理器，並獲美國國防部訂單。執行長陳立武強調，18A量產標誌「四年五節點」技術藍圖達標，將為英特爾奪回製程領先地位。不過，業界傳聞該公司考慮跳過18A對外代工，直接押注下一代14A製程爭取蘋果訂單。