技術領域：High-NA（高數值孔徑）極紫外光（EUV）微影
High-NA EUV 是實現 2nm 以下製程單次曝光的關鍵設備，數值孔徑由 0.33 提升至 0.55，解析度可達 8nm。ASML 的 EXE:5000 系列已陸續出貨給英特爾、台積電及三星，但量產導入仍面臨光源功率、光阻劑感度及設備體積等多重挑戰。
英特爾為首批導入 High-NA EUV 的客戶，已用於 18A 製程研發，但量產時程因光源功率不足而略有遞延。台積電則計劃在 A16（1.6nm）製程導入，預計 2027 年量產，採取較穩健的漸進策略。三星同樣規劃於 SF1.4 節點跟進。
High-NA EUV 對光阻劑感度要求更高，傳統化學增幅型光阻（CAR）已不敷使用，金屬氧化物光阻（MOR）成為新主流。日本 JSR、東京應化及美國杜邦積極開發對應材料，台系光阻劑供應商如永光（1711-TW）也投入研發，但短期內仍難切入先進製程。